2-POWER MEM5203S
8 ГБ - 2RX8 - PC3L-12800s - DDR3L / PC3L - 1600 МГц - CL11 - 1.35 В / 1.5 В
8 ГБ - 2RX8 - PC3L-12800s - DDR3L / PC3L - 1600 МГц - CL11 - 1.35 В / 1.5 В
модули памятиновые
✅ они не несутникаких следов использования
✅ они изсвежего производства (06.01.2023 r.)
✅ модули памяти построены на основе костей (чипов) технологического лидера компанииSamsung , самой популярной марки оперативной памяти в мире.
✅ точно такие же кости используются в модулях Samsung m471b1g73qh0-yk0.
✅ модули памяти продаются в OEM-версии (в металлизированныхантистатических пакетах ESD)
✅ поставляются в оптовых упаковках (так называемыйtray < /B>).
кости, являющиеся предметом предложения, используются в ноутбуках крупнейших мировых брендов, m.in.:
2-POWER – 2-Power-это бренд с Британских островов, предлагающий комплексные решения для электронного сегмента. Сервисам, предлагающим ремонтные услуги, мы предоставляем ЖК-экраны, TFT и LED, а также дигитайзеры, а также модули памяти DIMM и SO-DIMM и твердотельные накопители, подходящие для серверов, настольных компьютеров и ноутбуков.
характеристики и производительность продукции 2-POWER часто превосходят характеристики компонентов, установленных на заводе, обеспечивая исключительную надежность и соотношение цены и качества. Все продукты 2-POWER проходят внутреннее тестирование как до, так и после производственного процесса, чтобы обеспечить постоянную безопасность и надежность.
все кости были проверены программой MemTest86 + , которая не показала никаких ошибок, так что вы сможете наслаждаться долгой и безаварийной работой!
Memtest86+ - это программа, предназначенная для так называемого "стресс-теста " - ее задача - проверить стабильность при максимальной нагрузке оперативной памяти и обнаружить возможные ошибки.
предметом аукциона является памятьSO-DIMM / SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) < /B>, которая предназначена для устройств, оснащенных разъемом SO-DIMM, то есть будет обслуживаться:
на картинке рядом с памятью типаSO-DIMM находится в нижней части графика < /B> (выше представлена память DIMM).
DDR3
большинство типов модулей SO-DIMM можно распознать визуально по характерным разрезам:
204-контактные модули SO-DIMM (DDR3 SDRAM) имеют один вырез ближе к центру, чем 200-контактные модули SO-DIMM.
память DDR3 выполняется по технологии 90 нм или меньше, что позволяет использовать более низкое напряжение (1,5 В против 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). Благодаря этому память DDR3 имеет пониженное энергопотребление примерно на 40% по сравнению с памятью DDR2 и большую пропускную способность по сравнению с DDR2 и DDR. Существуют также низковольтные модули DDR3L с напряжением 1,35 В и ddr3u с напряжением 1,2 в, определенные в документах " JEDEC Standard No. 79-3-1A.01" (DDR3L) и " JEDEC Standard No. 79-3-2 "(DDR3U).
память DDR3 не имеет обратной совместимости, т. е. не работает с наборами микросхем, поддерживающими DDR и DDR2. Модули с памятью DIMM DDR3 имеют смещенный отступ вправо по отношению к модулям DIMM DDR2.
поддержка памяти DDR3 процессорами была введена в 2007 году в чипсетах материнских плат, предназначенных для процессоров Intel, и в 2009 году в процессорах AMD.
память DDR3 поставляется в модулях с емкостью от 512 МБ до 16 ГБ.
Примечание:
в 2010 году JEDEC обнародовала спецификацию памяти DDR3L, которая является частью стандарта памяти DDR3. ОЗУ DDR3 low voltage имеют более низкое напряжение питания с 1,5 В до 1,35 В что приводит к снижению энергопотребления на 10%. память DDR3L обратно совместима с DDR3, однако не каждая материнская плата, совместимая с памятью DDR3, позволит модулям DDR3L работать при номинальном напряжении 1,35 В.
мы рекомендуем вам приобрести сразу два блока памяти и работать в режиме DUAL CHANNEL , который позволит повысить эффективность работы вашего ноутбука.
кости, которые мы вам отправим ,будут работать вместе в этом режиме без проблем.
DUAL CHANNEL - это технология, используемая в контроллерах памяти для более эффективной работы с оперативной памятью, которая заключается в удвоении пропускной способности передачи данных между контроллером памяти и оперативной памятью, что приводит к увеличению производительности на 20-40%.